GB/T4937.13-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽霧內容是什么?百檢網(wǎng)檢測范圍廣泛，可根據(jù)客戶需求選擇合適的檢測標準及項目安排檢測，全國近千家合作實驗室，CMA/CNAS資質齊全，可就近安排寄樣檢測。今天百檢網(wǎng)就給大家簡單介紹一下GB/T4937.13-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽霧標準內容。

1 范圍

GB/T4937的本部分規(guī)定了半導體器件的鹽霧試驗方法,以確定半導體器件耐腐蝕的能力。本試驗是模擬嚴酷的海邊大氣對器件暴露表面影響的加速試驗。適用于工作在海上和沿海地區(qū)的器件。

本試驗是破壞性試驗。

本試驗總體上符合IEC60068-2-11,但鑒于半導體器件的特殊要求,采用本部分的條款。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改單)適用于本文件

IEC60749-14半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分:引出端強度(引線牢固性)[Semi conductor devicesMechanical and climatic test methods-Part 14: Robustness of terminations(lead integrity)]

IEC60068-2-11環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Ka:鹽霧( Environmental testing-Part2: Tests-Test Ka: Salt mist)

3 試驗設備

鹽霧試驗所用設備應包括:

a)帶有耐腐蝕的支撐器件夾具的溫控試驗箱;

b)鹽溶液槽:所用的鹽應為無水氯化鈉,其碘化鈉的質量分數(shù)不超過0.1%,且總雜質的含量不超過0.3%,蒸餾水(或使用的其他水)的雜質含量不超過200×10-6,應通過過濾以控制溶液的雜質含量,為了達到第4章所要求的沉降率,去離子水或蒸餾水鹽溶液的鹽濃度應為05%~3%(質量百分比);

c)使鹽液霧化的裝置,包括合適的噴嘴和壓縮空氣源;

d)高于箱內溫度的某溫度下,保持空氣潮濕的裝置;

e)1倍~3倍、10倍~20倍的放大鏡。

4 程序

按4.1的要求預處理之后,試驗樣品應按如下方式放置在試驗箱里,使它們彼此不接觸,彼此不遮擋,能自由地接受鹽霧作用腐蝕生成物和凝聚物不會從一個樣品滴落在另一個樣品上。試驗箱中噴霧的保持時間應按4.2試驗條件的要求執(zhí)行。試驗期間,試驗箱內的溫度應保持在(35±2)℃,鹽霧的濃度和噴出速度應調節(jié)到使試驗區(qū)域內鹽沉降率為(30±10)g/(m2·d)。在不低于35℃測量時,鹽溶液的pH值應在60~7.5之間[只能用化學純(CP級)的鹽酸或氫氧化鈉(稀溶液)來調整pH值]。

4.1 預處理

若規(guī)定了預處理,試驗樣品在進行鹽霧試驗之前,器件引線應按IEC60749-14規(guī)定的試驗條件B的要求,承受彎曲應力的預處理。如果進行鹽霧試驗的樣品已經作為其他試驗的一部分進行過所要求的預處理,其引線無需重新彎曲

4.2 試驗時間

應從表1中選取鹽霧試驗的時間。除另有規(guī)定外,應采用試驗條件A

4.3 清洗

除另有規(guī)定外試驗結束后,樣品表面的沉淀物應按如下方式進行處理可用清水輕輕沖洗去掉試驗樣品表面沉淀的鹽;也可以將樣品浸泡在水里,用軟毛刷或軟塑料刷輕輕地刷洗。水溫不應超過40℃。

4.4 失效判據(jù)

器件出現(xiàn)以下情況判為失效:

a)在室內正常照明下,放大1倍~3倍檢查,標識模糊

b)腐蝕缺陷面積超過任何封裝零件(例如蓋板、引線或外殼)鍍涂或底金屬面積的5%;引線缺損、斷裂;放大10倍~20倍檢查,完全貫穿零件的腐蝕。在此試驗方法中,腐蝕定義為對材料

或涂層結構的實際損壞。褪色或變色,包括與點腐蝕有關的褪色或變色,不應認為是受損區(qū)域的一部分。引線末端的腐蝕(和由此產生的腐蝕生成物)應忽略。

注:涂層需覆蓋封裝和從引線根部到尖端的整個暴露的引線區(qū)域(不包括特定的彎折區(qū)域)和所有其他暴露的金屬表面。

5 說明

相關文件應規(guī)定以下內容:

a)預處理,適用時(見4.1);

b)試驗條件,如果和試驗條件A不同(見4,2);

c)清洗程序,如果和43的規(guī)定不同;

d)失效判據(jù),如果和44的規(guī)定不同;

樣本大小和可接收的數(shù)量

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關于GB/T 4937.13-2018 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第13部分：鹽霧檢測標準內容就介紹到這里。做檢測，上百檢，百檢網(wǎng)為您帶來一站式檢測服務。